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BSS138LT1G

发布时间:2019/9/10 11:28:00 访问次数:32 发布企业:深圳市永拓丰科技有限公司

ON Semiconductor MOSFET, N沟道, Si, Vds=50 V, 200 mA, 3引脚 SOT-23封装。




Main Product 产品技术参数资料 ESD Control Selection Guide V1 Datasheet 法例与合规 符合 符合声明 产品详细信息 N 通道功率 MOSFET,50V,ON Semiconductor MOSFET 晶体管,ON Semiconductor 产品技术参数 属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 200 mA
最大漏源电压 50 V
最大漏源电阻值 3.5 Ω
最大栅阈值电压 1.5V
最大栅源电压 -20 V、+20 V
封装类型 SOT-23
安装类型 表面贴装
晶体管配置 单
引脚数目 3
通道模式 增强
最大功率耗散 225 mW
最高工作温度 +150 °C
最低工作温度 -55 °C
高度 0.94mm
长度 2.9mm
宽度 1.3mm
每片芯片元件数目 1
晶体管材料 Si


L7915CP
STGE200NB60S
STPS30150CG-TR
NVTFS5C658NLTAG
STPS30M60SG-TR
TD310IDT
SZMM5Z10VT1G
BCP53-16
A6986HTR
ISO8200BQTR
ESDCAN06-2BLY
MM74HC14M
M95512-RMN6TP
FDC6561AN
SM6T10A
LD2981CM33TR
BD677
1.5KE36CA
2N6284G
LM2575TV-ADJG
STP75NF75
L6202
L6201PS
BAT54HT1G
MBRS1540T3G
BCX17LT1G
MMBD301LT1G
MC74VHC1G09DFT1G
MOC3022M
MOCD223M
L6598D013TR
FDH50N50-F133
NC7S04M5X
BZX84C16LT1G
BZX84C24LT1G
TL431CDR2G
NB6L16DTG
1N5821RLG
NL27WZ07DFT2G
MMSZ5236BT1G
RURG80100
BAT54SWT1G
MBRS360BT3G
BZX84C15LT1G
BZX84C9V1LT1G
SM05T1G
ITA25B1
BZX84C12LT1G
TL064IDT
M24128-BWMN6TP
L4931ABD50-TR
STTH1002CB
MC74ACT08DTR2G
TS952IDT
MC100EL32DG
FDS6875
BZX84C5V1LT3G
L6205D013TR
NDB6060L
VND5N07TR-E
MC33275DT-3.3G
DVIULC6-4SC6
BZX84C18LT1G
SMP100LC-90
RFP50N06
SMP100LC-35
RHRP1560
NTF3055L108T1G
M74VHC1GT50DFT1G
MBR0530
FQD1N60CTM
D44H11G
LM2901DR2G
MJF15030G
RGF1M
NCP303LSN27T1G
STPS1H100U
MC33151PG
MURB1620CTG
FDV305N
BAR43SFILM
PZTA14
FQD2N100TM
SM6T200A
Z0103MA1AA2
NDS7002A
ST3232EBTR
GBU6K
LM2576T-ADJG
NCV4274ADT50RKG
M74VHC1G132DTT1G
LE33CZ-AP
MJE5731AG
MMSZ5259BT1G
LM431ACZ
MM74HC08MX
1.5KE400A
MMBF2201NT1G
LD1117S33TR
LD2980CM33TR
MBR120ESFT1G
M93C46-WMN6P
FQD3N60CTM-WS
1SMB5920BT3G
74LCX14BQX
4N25SR2M
MC7915CD2TR4G
FDN352AP
1N5819RLG
1N5368BG
M24C01-WMN6P
FS6377-01G-XTD
1.5KE36CA
MMSZ5263BT1G
UF4007
STTH2003CFP


公司名称:深圳市永拓丰科技有限公司

公司地址:深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋510室

联系人:黄桂荣

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